Справочник MOSFET. STH3N150-2

 

STH3N150-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH3N150-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH3N150-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH3N150-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:672K  st
 stfw3n150 sth3n150-2 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STH3N150-2

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150DatasheetN-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packagesFeaturesTABVDS RDS(on) max. ID PTOTOrder codes23 1 3STFW3N150 63 W22H PAK-21STH3N150-2TO-3PF1500 V 9 2.5 ASTP3N150 140 WTABSTW3N15033 100% avalanche tested2 2 1 1 TO-220

 ..2. Size:1056K  st
 sth3n150-2.pdf pdf_icon

STH3N150-2

STFW3N150, STH3N150-2, STP3N150, STW3N150N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packagesDatasheet - production dataFeatures TABOrder codes VDS RDS(on) max. ID PTOT1112313STFW3N150 63 W 2 2H PAK-21STH3N150-21500 V 9 2.5 ATO-3PFSTP3N150 140 WTABSTW3N150 100% avalanche tested33

Другие MOSFET... STH275N8F7-6AG , STH310N10F7-2 , STH310N10F7-6 , STH315N10F7-2 , STH315N10F7-6 , STH320N4F6-2 , STH320N4F6-6 , STH360N4F6-2 , 5N50 , STH400N4F6-2 , STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 .

History: IRLZ24NSPBF | SIZ704DT

 

 
Back to Top

 


 
.