STH3N150-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH3N150-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH3N150-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH3N150-2 даташит

 ..1. Size:672K  st
 stfw3n150 sth3n150-2 stp3n150 stw3n150.pdf pdf_icon

STH3N150-2

STFW3N150, STH3N150-2 STP3N150, STW3N150 Datasheet N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Features TAB VDS RDS(on) max. ID PTOT Order codes 2 3 1 3 STFW3N150 63 W 2 2 H PAK-2 1 STH3N150-2 TO-3PF 1500 V 9 2.5 A STP3N150 140 W TAB STW3N150 3 3 100% avalanche tested 2 2 1 1 TO-220

 ..2. Size:1056K  st
 sth3n150-2.pdf pdf_icon

STH3N150-2

STFW3N150, STH3N150-2, STP3N150, STW3N150 N-channel 1500 V, 2.5 A, 6 typ., PowerMESH Power MOSFETs in TO-3PF, H2PAK-2, TO-220 and TO247 packages Datasheet - production data Features TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT 1 1 1 2 3 1 3 STFW3N150 63 W 2 2 H PAK-2 1 STH3N150-2 1500 V 9 2.5 A TO-3PF STP3N150 140 W TAB STW3N150 100% avalanche tested 3 3

Другие IGBT... STH275N8F7-6AG, STH310N10F7-2, STH310N10F7-6, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, IRFP064N, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110