STH400N4F6-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STH400N4F6-2
   Código: 400N4F6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 404 nC
   Tiempo de subida (tr): 184 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1990 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.00115 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2

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STH400N4F6-2 Datasheet (PDF)

..1. Size:788K st
sth400n4f6-2 sth400n4f6-6.pdf

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETsDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH400N4F6-240 V 1.15 m 180 ASTH400N4F6-6723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Low gate chargeH2PAK-6 Very low on-res

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Liste

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