STH400N4F6-2 Todos los transistores

 

STH400N4F6-2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STH400N4F6-2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 184 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1990 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm
   Paquete / Cubierta: H2PAK-2
     - Selección de transistores por parámetros

 

STH400N4F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  st
 sth400n4f6-2 sth400n4f6-6.pdf pdf_icon

STH400N4F6-2

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETsDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH400N4F6-240 V 1.15 m 180 ASTH400N4F6-6723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Low gate chargeH2PAK-6 Very low on-res

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History: AP98T03GP | HCS80R1K4ST

 

 
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