Справочник MOSFET. STH400N4F6-2

 

STH400N4F6-2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH400N4F6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 184 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2
 

 Аналог (замена) для STH400N4F6-2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH400N4F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  st
 sth400n4f6-2 sth400n4f6-6.pdf pdf_icon

STH400N4F6-2

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETsDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH400N4F6-240 V 1.15 m 180 ASTH400N4F6-6723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Low gate chargeH2PAK-6 Very low on-res

Другие MOSFET... STH310N10F7-2 , STH310N10F7-6 , STH315N10F7-2 , STH315N10F7-6 , STH320N4F6-2 , STH320N4F6-6 , STH360N4F6-2 , STH3N150-2 , IRFP064N , STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRHG6110 .

History: BUK9Y8R7-60E | CEB30N3 | STP18NM60N | 2N7218U | NTS4172NT1G | VB2290A | SRC65R220BS

 

 
Back to Top

 


 
.