STH400N4F6-2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH400N4F6-2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 184 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm

Тип корпуса: H2PAK-2

Аналог (замена) для STH400N4F6-2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH400N4F6-2 даташит

 ..1. Size:788K  st
 sth400n4f6-2 sth400n4f6-6.pdf pdf_icon

STH400N4F6-2

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6 Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETs Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID TAB TAB STH400N4F6-2 40 V 1.15 m 180 A STH400N4F6-6 7 2 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified H2PAK-2 Low gate charge H2PAK-6 Very low on-res

Другие IGBT... STH310N10F7-2, STH310N10F7-6, STH315N10F7-2, STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, STH3N150-2, AO4468, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110