Справочник MOSFET. STH400N4F6-2

 

STH400N4F6-2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH400N4F6-2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 184 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-2

 Аналог (замена) для STH400N4F6-2

 

 

STH400N4F6-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  st
 sth400n4f6-2 sth400n4f6-6.pdf

STH400N4F6-2 STH400N4F6-2

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETsDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH400N4F6-240 V 1.15 m 180 ASTH400N4F6-6723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Low gate chargeH2PAK-6 Very low on-res

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top