STH400N4F6-6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH400N4F6-6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 184 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1990 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00115 Ohm

Encapsulados: H2PAK-6

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STH400N4F6-6 datasheet

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STH400N4F6-6

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6 Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETs Datasheet - production data Features Order codes VDS RDS(on) max ID TAB TAB STH400N4F6-2 40 V 1.15 m 180 A STH400N4F6-6 7 2 3 Designed for automotive applications and 1 1 AEC-Q101 qualified H2PAK-2 Low gate charge H2PAK-6 Very low on-res

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