Справочник MOSFET. STH400N4F6-6

 

STH400N4F6-6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STH400N4F6-6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 184 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00115 Ohm
   Тип корпуса: H2PAK-6

 Аналог (замена) для STH400N4F6-6

 

 

STH400N4F6-6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  st
 sth400n4f6-2 sth400n4f6-6.pdf

STH400N4F6-6 STH400N4F6-6

STH400N4F6-2, STH400N4F6-6Automotive-grade N-channel 40 V, 0.85 m typ.,180 A STripFET VI DeepGATE Power MOSFETsDatasheet - production dataFeatures Order codes VDS RDS(on) max IDTAB TABSTH400N4F6-240 V 1.15 m 180 ASTH400N4F6-6723 Designed for automotive applications and 11AEC-Q101 qualifiedH2PAK-2 Low gate chargeH2PAK-6 Very low on-res

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top