STH80N10F7-2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STH80N10F7-2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: H2PAK-2

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STH80N10F7-2 datasheet

 ..1. Size:1361K  st
 std80n10f7 stf80n10f7 sth80n10f7-2 stp80n10f7.pdf pdf_icon

STH80N10F7-2

STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2, STP80N10F7 N-channel 100 V, 0.008 typ., 80 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220 Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 3 Order codes ID PTOT TJmax max 1 DPAK 3 STD80N10F7 0.01 70 A 85 W 2 1 TO-220FP STF80N10F7 0.01 40 A 30 W 100 V TAB TAB STH80N10F7-2 0.0095 80 A

 6.1. Size:621K  st
 sth80n10lf7-2ag.pdf pdf_icon

STH80N10F7-2

STH80N10LF7-2AG Datasheet Automotive-grade N-channel 100 V, 7 m typ., 80 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package Features TAB VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STH80N10LF7-2AG 100 V 10 m 80 A 110 W 2 3 1 AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on) on the market H2PAK-2 Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity D(TA

 6.2. Size:329K  inchange semiconductor
 sth80n10lf7.pdf pdf_icon

STH80N10F7-2

isc N-Channel MOSFET Transistor STH80N10LF7 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

 8.1. Size:328K  1
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STH80N10F7-2

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