STH80N10F7-2 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: STH80N10F7-2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: H2PAK-2
Аналог (замена) для STH80N10F7-2
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STH80N10F7-2 даташит
std80n10f7 stf80n10f7 sth80n10f7-2 stp80n10f7.pdf
STD80N10F7, STF80N10F7, STH80N10F7-2, STP80N10F7 N-channel 100 V, 0.008 typ., 80 A STripFET VII DeepGATE Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP, H2PAK-2 and TO-220 Datasheet - production data Features TAB VDS @ RDS(on) 3 Order codes ID PTOT TJmax max 1 DPAK 3 STD80N10F7 0.01 70 A 85 W 2 1 TO-220FP STF80N10F7 0.01 40 A 30 W 100 V TAB TAB STH80N10F7-2 0.0095 80 A
sth80n10lf7-2ag.pdf
STH80N10LF7-2AG Datasheet Automotive-grade N-channel 100 V, 7 m typ., 80 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package Features TAB VDS RDS(on) max. ID PTOT Order code STH80N10LF7-2AG 100 V 10 m 80 A 110 W 2 3 1 AEC-Q101 qualified Among the lowest RDS(on) on the market H2PAK-2 Excellent FoM (figure of merit) Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity D(TA
sth80n10lf7.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STH80N10LF7 FEATURES Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 10m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.
Другие IGBT... STH315N10F7-6, STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, STH3N150-2, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, IRF3205, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, IRHG7110, IRHG9110, IRHI7360SE
History: NP100N04NUH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor



