STH8NA80FI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STH8NA80FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 188 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Encapsulados: ISOWATT218
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STH8NA80FI datasheet
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf
STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V
Otros transistores... STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, STH3N150-2, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, IRF740, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, IRHG7110, IRHG9110, IRHI7360SE, IRHI7460SE
History: HAT2202C | STH7NA90FI | JCS5N60VB
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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