STH8NA80FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH8NA80FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 188 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH8NA80FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH8NA80FI даташит

 ..1. Size:128K  njs
 sth8na80fi stw8na80.pdf pdf_icon

STH8NA80FI

 8.1. Size:344K  1
 sth8na60 sth8na60fi.pdf pdf_icon

STH8NA80FI

 9.1. Size:406K  1
 sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdf pdf_icon

STH8NA80FI

 9.2. Size:323K  st
 stw8nb90 sth8nb90fi.pdf pdf_icon

STH8NA80FI

STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STH320N4F6-2, STH320N4F6-6, STH360N4F6-2, STH3N150-2, STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, IRF740, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, IRHG7110, IRHG9110, IRHI7360SE, IRHI7460SE