IRHG6110 Todos los transistores

 

IRHG6110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHG6110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

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IRHG6110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  international rectifier
 irhg6110.pdf pdf_icon

IRHG6110

PD - 93783EIRHG6110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG6110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG63110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG6110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A P IRHG63110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75A PMO-036A

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History: SFB040N100C3 | 2N7002ZT | HM530 | SFB032N95C3 | FQT1N60CTFWS | UTD3055 | STB38N65M5

 

 
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