IRHG6110 Todos los transistores

 

IRHG6110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHG6110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 11 nC

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.7 Ohm

Empaquetado / Estuche: MO-036AB

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IRHG6110 Datasheet (PDF)

1.1. irhg6110.pdf Size:191K _update

IRHG6110
IRHG6110

PD - 93783E IRHG6110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED ® RAD-Hard™ HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG6110 100K Rads (Si) 0.6Ω 1.0A N IRHG63110 300K Rads (Si) 0.6Ω 1.0A N IRHG6110 100K Rads (Si) 1.1Ω -0.75A P IRHG63110 300K Rads (Si) 1.1Ω -0.75A P MO-036A

1.2. irhg6110.pdf Size:195K _international_rectifier

IRHG6110
IRHG6110

PD - 93783E IRHG6110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG6110 100K Rads (Si) 0.6? 1.0A N IRHG63110 300K Rads (Si) 0.6? 1.0A N IRHG6110 100K Rads (Si) 1.1? -0.75A P IRHG63110 300K Rads (Si) 1.1? -0.75A P MO-036AB Internation

 

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