IRHG6110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHG6110  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: MO-036AB

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IRHG6110 datasheet

 ..1. Size:191K  international rectifier
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IRHG6110

PD - 93783E IRHG6110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG6110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG63110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG6110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A P IRHG63110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75A P MO-036A

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