Справочник MOSFET. IRHG6110

 

IRHG6110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHG6110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для IRHG6110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG6110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  international rectifier
 irhg6110.pdf pdf_icon

IRHG6110

PD - 93783EIRHG6110100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG6110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG63110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG6110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A P IRHG63110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75A PMO-036A

Другие MOSFET... STH400N4F6-2 , STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRF540N , IRHG7110 , IRHG9110 , IRHI7360SE , IRHI7460SE , IRHLF770Z4 , IRHLF7970Z4 , IRHLF87Y20 , IRHLG7670Z4 .

History: HY1506P | BLV730

 

 
Back to Top

 


 
.