IRHG6110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHG6110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

Аналог (замена) для IRHG6110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG6110 даташит

 ..1. Size:191K  international rectifier
 irhg6110.pdf pdf_icon

IRHG6110

PD - 93783E IRHG6110 100V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL IRHG6110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG63110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A N IRHG6110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A P IRHG63110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75A P MO-036A

Другие IGBT... STH400N4F6-2, STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRF540, IRHG7110, IRHG9110, IRHI7360SE, IRHI7460SE, IRHLF770Z4, IRHLF7970Z4, IRHLF87Y20, IRHLG7670Z4