IRHG7110 Todos los transistores

 

IRHG7110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHG7110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

 Búsqueda de reemplazo de IRHG7110 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRHG7110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhg7110.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 90670CIRHG7110100V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG7110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG3110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG4110 600K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG8110 1000K Rads (Si) 0.6 1.0AMO-036ABInternational Rectifiers R

 9.1. Size:243K  international rectifier
 irhg7214.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 91711BRADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Ha

Otros transistores... STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRHG6110 , 50N06 , IRHG9110 , IRHI7360SE , IRHI7460SE , IRHLF770Z4 , IRHLF7970Z4 , IRHLF87Y20 , IRHLG7670Z4 , IRHLG770Z4 .

History: 2SK1582 | FDPC4044 | SIR880ADP | IRF3256 | TK9A65W | SRT08N025HC56TR-G

 

 
Back to Top

 


 
.