IRHG7110 Todos los transistores

 

IRHG7110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHG7110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHG7110

 

Principales características: IRHG7110

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhg7110.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 90670C IRHG7110 100V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG7110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG3110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG4110 600K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG8110 1000K Rads (Si) 0.6 1.0A MO-036AB International Rectifier s R

 9.1. Size:243K  international rectifier
 irhg7214.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 91711B RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Ha

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History: HAT2280R

 

 
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