IRHG7110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHG7110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHG7110

IRHG7110 Datasheet (PDF)

..1. Size:119K international rectifier
irhg7110.pdf

PD - 90670CIRHG7110100V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG7110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG3110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG4110 600K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG8110 1000K Rads (Si) 0.6 1.0AMO-036ABInternational Rectifiers R

9.1. Size:243K international rectifier
irhg7214.pdf

PD - 91711BRADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Ha

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History: FDP150N10

Liste

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