Справочник MOSFET. IRHG7110

 

IRHG7110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHG7110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для IRHG7110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG7110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhg7110.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 90670CIRHG7110100V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG7110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG3110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG4110 600K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG8110 1000K Rads (Si) 0.6 1.0AMO-036ABInternational Rectifiers R

 9.1. Size:243K  international rectifier
 irhg7214.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 91711BRADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Ha

Другие MOSFET... STH400N4F6-6 , STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRHG6110 , 50N06 , IRHG9110 , IRHI7360SE , IRHI7460SE , IRHLF770Z4 , IRHLF7970Z4 , IRHLF87Y20 , IRHLG7670Z4 , IRHLG770Z4 .

History: IRF630NSTRRPBF | STFI13NM60N | WMO07N65C4 | HFW50N06 | 2SK1796 | SE10030A | TK100A10N1

 

 
Back to Top

 


 
.