Справочник MOSFET. IRHG7110

 

IRHG7110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRHG7110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB

 Аналог (замена) для IRHG7110

 

 

IRHG7110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhg7110.pdf

IRHG7110 IRHG7110

PD - 90670CIRHG7110100V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG7110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG3110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG4110 600K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG8110 1000K Rads (Si) 0.6 1.0AMO-036ABInternational Rectifiers R

 9.1. Size:243K  international rectifier
 irhg7214.pdf

IRHG7110 IRHG7110

PD - 91711BRADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214RADIATION HARDENED IRHG7214POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNELPOWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYRAD Ha

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top