IRHG7110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHG7110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

Аналог (замена) для IRHG7110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG7110 даташит

 ..1. Size:119K  international rectifier
 irhg7110.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 90670C IRHG7110 100V, QUAD N-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG7110 100K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG3110 300K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG4110 600K Rads (Si) 0.6 1.0A IRHG8110 1000K Rads (Si) 0.6 1.0A MO-036AB International Rectifier s R

 9.1. Size:243K  international rectifier
 irhg7214.pdf pdf_icon

IRHG7110

PD - 91711B RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 RADIATION HARDENED IRHG7214 POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET 250V,QUAD N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY RAD Ha

Другие IGBT... STH400N4F6-6, STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, 50N06, IRHG9110, IRHI7360SE, IRHI7460SE, IRHLF770Z4, IRHLF7970Z4, IRHLF87Y20, IRHLG7670Z4, IRHLG770Z4