IRHG9110 Todos los transistores

 

IRHG9110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHG9110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: MO-036AB
 

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IRHG9110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  international rectifier
 irhg9110.pdf pdf_icon

IRHG9110

PD-93819CIRHG9110100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75AMO-036ABInternational Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETTechnology provides high performance power MOSF

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History: CJBA3541K | JST150N30T2 | SE3400 | JMTC3003A | IRHG7110 | FCB290N80 | BUK445-100A

 

 
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