IRHG9110 Todos los transistores

 

IRHG9110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHG9110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 15 nC

Tiempo de elevación (tr): 19 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: MO-036AB

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IRHG9110 Datasheet (PDF)

1.1. irhg9110.pdf Size:176K _update

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PD-93819C IRHG9110 100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENED ® RAD-Hard™ HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1Ω -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1Ω -0.75A MO-036AB International Rectifier’s RAD-HardTM HEXFET® MOSFET Technology provides high performance power MOSF

1.2. irhg9110.pdf Size:120K _international_rectifier

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PD - 93819A IRHG9110 100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1? -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1? -0.75A MO-036AB International Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFET Features: Technology provides high performance power MOSF

 

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