Справочник MOSFET. IRHG9110

 

IRHG9110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHG9110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG9110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  international rectifier
 irhg9110.pdf pdf_icon

IRHG9110

PD-93819CIRHG9110100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75AMO-036ABInternational Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETTechnology provides high performance power MOSF

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.