IRHG9110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHG9110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: MO-036AB

Аналог (замена) для IRHG9110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG9110 даташит

 ..1. Size:176K  international rectifier
 irhg9110.pdf pdf_icon

IRHG9110

PD-93819C IRHG9110 100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENED RAD-Hard HEXFET POWER MOSFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75A MO-036AB International Rectifier s RAD-HardTM HEXFET MOSFET Technology provides high performance power MOSF

Другие IGBT... STH7NA90FI, STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, IRHG7110, IRFP460, IRHI7360SE, IRHI7460SE, IRHLF770Z4, IRHLF7970Z4, IRHLF87Y20, IRHLG7670Z4, IRHLG770Z4, IRHLG77110