Справочник MOSFET. IRHG9110

 

IRHG9110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHG9110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: MO-036AB
 

 Аналог (замена) для IRHG9110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHG9110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  international rectifier
 irhg9110.pdf pdf_icon

IRHG9110

PD-93819CIRHG9110100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75AMO-036ABInternational Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETTechnology provides high performance power MOSF

Другие MOSFET... STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRHG6110 , IRHG7110 , IRF640 , IRHI7360SE , IRHI7460SE , IRHLF770Z4 , IRHLF7970Z4 , IRHLF87Y20 , IRHLG7670Z4 , IRHLG770Z4 , IRHLG77110 .

History: GSM4599 | IXFK64N50P | BRD4N70 | FDBL9406L-F085 | CS50N20ANH | APT1004R2KN | APT10078SLLG

 

 
Back to Top

 


 
.