IRHG9110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRHG9110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: MO-036AB
Аналог (замена) для IRHG9110
IRHG9110 Datasheet (PDF)
irhg9110.pdf

PD-93819CIRHG9110100V, QUAD P-CHANNEL RADIATION HARDENEDRAD-Hard HEXFET POWER MOSFETMOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHG9110 100K Rads (Si) 1.1 -0.75A IRHG93110 300K Rads (Si) 1.1 -0.75AMO-036ABInternational Rectifiers RAD-HardTM HEXFET MOSFETTechnology provides high performance power MOSF
Другие MOSFET... STH7NA90FI , STH80N10F7-2 , STH8NA80FI , IRHG567110 , IRHG57110 , IRHG597110 , IRHG6110 , IRHG7110 , IRF640 , IRHI7360SE , IRHI7460SE , IRHLF770Z4 , IRHLF7970Z4 , IRHLF87Y20 , IRHLG7670Z4 , IRHLG770Z4 , IRHLG77110 .
History: AOCA24106E | CS4N65A3HD1-G | SWT038R10ES | AOCA72114 | SRN0765D | IRLL3303PBF | IRHLNJ797034
History: AOCA24106E | CS4N65A3HD1-G | SWT038R10ES | AOCA72114 | SRN0765D | IRLL3303PBF | IRHLNJ797034



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet