IRHI7360SE Todos los transistores

 

IRHI7360SE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHI7360SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-259AA

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHI7360SE

 

Principales características: IRHI7360SE

 ..1. Size:32K  international rectifier
 irhi7360se.pdf pdf_icon

IRHI7360SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1446A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHI7360SE HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 400 Volt, 0.20 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technology HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2

 9.1. Size:32K  international rectifier
 irhi7460se.pdf pdf_icon

IRHI7360SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1224A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHI7460SE HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 500 Volt, 0.32 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technol- ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE IRHI7460SE 500V 0.32 20A

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