IRHI7360SE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHI7360SE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-259AA

Аналог (замена) для IRHI7360SE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHI7360SE даташит

 ..1. Size:32K  international rectifier
 irhi7360se.pdf pdf_icon

IRHI7360SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1446A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHI7360SE HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 400 Volt, 0.20 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technology HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE fail- IRHI7360SE 400V 0.20 2

 9.1. Size:32K  international rectifier
 irhi7460se.pdf pdf_icon

IRHI7360SE

Provisional Data Sheet No. PD-9.1224A REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRHI7460SE HEXFET TRANSISTOR N-CHANNEL SINGLE EVENT EFFECT (SEE) RAD HARD Product Summary 500 Volt, 0.32 , (SEE) RAD HARD HEXFET Part Number BVDSS RDS(on) ID International Rectifier s (SEE) RAD HARD technol- ogy HEXFETs demonstrate virtual immunity to SEE IRHI7460SE 500V 0.32 20A

Другие IGBT... STH80N10F7-2, STH8NA80FI, IRHG567110, IRHG57110, IRHG597110, IRHG6110, IRHG7110, IRHG9110, IRFZ44, IRHI7460SE, IRHLF770Z4, IRHLF7970Z4, IRHLF87Y20, IRHLG7670Z4, IRHLG770Z4, IRHLG77110, IRHLG77214