IRHLG770Z4 Todos los transistores

 

IRHLG770Z4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHLG770Z4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.07 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 2.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 2.4 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 39 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: MO-036AB

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IRHLG770Z4 Datasheet (PDF)

1.1. irhlg770z4.pdf Size:207K _update

IRHLG770Z4
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PRELIMINARY PD-95865B 2N7618M1 RADIATION HARDENED IRHLG770Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG770Z4 100K Rads (Si) 0.6Ω 1.07A IRHLG730Z4 300K Rads (Si) 0.6Ω 1.07A MO-036AB International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs provide simple solution to

3.1. irhlg77214.pdf Size:202K _update

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PD-97339 2N7614M1 RADIATION HARDENED IRHLG77214 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77214 100K Rads (Si) 1.1Ω 0.8A IRHLG73214 300K Rads (Si) 1.1Ω 0.8A MO-036AB International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS and TTL

3.2. irhlg77110.pdf Size:206K _update

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PRELIMINARY PD-97178 2N7612M1 RADIATION HARDENED IRHLG77110 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 100V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77110 100K Rads (Si) 0.22Ω 1.8A IRHLG73110 300K Rads (Si) 0.22Ω 1.8A MO-036AB International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs provide simple solution to

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