IRHLG770Z4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHLG770Z4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V
Corriente continua de drenaje (Id): 1.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V
Carga de compuerta (Qg): 2.5 nC
Tiempo de elevación (tr): 2.4 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 39 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: MO-036AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHLG770Z4
IRHLG770Z4 Datasheet (PDF)
1.1. irhlg770z4.pdf 
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PRELIMINARY PD-95865B 2N7618M1 RADIATION HARDENED IRHLG770Z4 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG770Z4 100K Rads (Si) 0.6Ω 1.07A IRHLG730Z4 300K Rads (Si) 0.6Ω 1.07A MO-036AB International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs provide simple solution to
3.1. irhlg77214.pdf Size:202K _update
PD-97339 2N7614M1 RADIATION HARDENED IRHLG77214 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77214 100K Rads (Si) 1.1Ω 0.8A IRHLG73214 300K Rads (Si) 1.1Ω 0.8A MO-036AB International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs provide simple solution to interfacing CMOS and TTL
3.2. irhlg77110.pdf Size:206K _update
PRELIMINARY PD-97178 2N7612M1 RADIATION HARDENED IRHLG77110 LOGIC LEVEL POWER MOSFET 100V, Quad N-CHANNEL TECHNOLOGY THRU-HOLE (MO-036AB) ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77110 100K Rads (Si) 0.22Ω 1.8A IRHLG73110 300K Rads (Si) 0.22Ω 1.8A MO-036AB International Rectifier’s R7TM Logic Level Power Features: MOSFETs provide simple solution to
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