IRHLG770Z4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHLG770Z4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.07 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: MO-036AB
Аналог (замена) для IRHLG770Z4
IRHLG770Z4 Datasheet (PDF)
irhlg770z4.pdf
PRELIMINARYPD-95865B2N7618M1RADIATION HARDENED IRHLG770Z4LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, Quad N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG770Z4 100K Rads (Si) 0.6 1.07A IRHLG730Z4 300K Rads (Si) 0.6 1.07AMO-036ABInternational Rectifiers R7TM Logic Level Power Features:MOSFETs provide simple solution to
irhlg77214.pdf
PD-973392N7614M1RADIATION HARDENED IRHLG77214LOGIC LEVEL POWER MOSFET 250V, Quad N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77214 100K Rads (Si) 1.1 0.8A IRHLG73214 300K Rads (Si) 1.1 0.8AMO-036ABInternational Rectifiers R7TM Logic Level Power MOSFETsprovide simple solution to interfacing CMOS and TTL
irhlg77110.pdf
PRELIMINARYPD-971782N7612M1RADIATION HARDENED IRHLG77110LOGIC LEVEL POWER MOSFET 100V, Quad N-CHANNELTECHNOLOGYTHRU-HOLE (MO-036AB)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG77110 100K Rads (Si) 0.22 1.8A IRHLG73110 300K Rads (Si) 0.22 1.8AMO-036ABInternational Rectifiers R7TM Logic Level Power Features:MOSFETs provide simple solution to
irhlg7970z4.pdf
PRELIMINARYPD-97200B2N7628M1RADIATION HARDENED IRHLG7970Z4LOGIC LEVEL POWER MOSFET 60V, Quad P-CHANNELTHRU-HOLE (MO-036AB) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHLG7970Z4 100K Rads (Si) 1.25 -0.71A IRHLG7930Z4 300K Rads (Si) 1.25 -0.71AMO-036ABInternational Rectifiers R7TM Logic Level PowerFeatures:MOSFETs provide simple solut
irhlg7670z4.pdf
PRELIMINARYPD-97191B 2N7635M1IRHLG7670Z4 60V, Combination 2N-2P-CHANNEL RADIATION HARDENEDTECHNOLOGY LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID CHANNEL 0.6 1.07A N IRHLG7670Z4 100K Rads (Si)1.25 -0.71A P 0.6 1.07A N IRHLG7630Z4 300K Rads (Si)1.25 -0.71A PMO-036ABInternational Rectifier
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918