IRHNA57260 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHNA57260  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm

Encapsulados: SMD-2

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IRHNA57260 datasheet

 ..1. Size:106K  international rectifier
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IRHNA57260

PD - 91838E RADIATION HARDENED IRHNA57260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4 # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260 100K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA53260 300K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA54260 600K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA58260 1000K Rads (Si) 0.048 55A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology

 0.1. Size:122K  international rectifier
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IRHNA57260

PD - 91839F RADIATION HARDENED IRHNA57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260SE 100K Rads (Si) 0.038 55A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized for

 5.1. Size:145K  international rectifier
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IRHNA57260

PD - 93816B RADIATION HARDENED IRHNA57264SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57264SE 100K Rads (Si) 0.06 49A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized f

 7.1. Size:105K  international rectifier
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IRHNA57260

PD - 91787E RADIATION HARDENED IRHNA57Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040 75*A SMD-2 International Rectifier s R5TM technolo

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