IRHNA57260 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHNA57260  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: SMD-2

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRHNA57260

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNA57260 даташит

 ..1. Size:106K  international rectifier
 irhna57260.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 91838E RADIATION HARDENED IRHNA57260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4 # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260 100K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA53260 300K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA54260 600K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA58260 1000K Rads (Si) 0.048 55A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology

 0.1. Size:122K  international rectifier
 irhna57260se.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 91839F RADIATION HARDENED IRHNA57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260SE 100K Rads (Si) 0.038 55A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized for

 5.1. Size:145K  international rectifier
 irhna57264se.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 93816B RADIATION HARDENED IRHNA57264SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57264SE 100K Rads (Si) 0.06 49A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology provides high performance power MOSFETs for space appli- Features cations. These devices have been characterized f

 7.1. Size:105K  international rectifier
 irhna57z60.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 91787E RADIATION HARDENED IRHNA57Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040 75*A SMD-2 International Rectifier s R5TM technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRHLNM87Y20, IRHLQ77214, IRHLUBC7970Z4, IRHLUC7670Z4, IRHLUC770Z4, IRHLUC7970Z4, IRHLYS77034CM, IRHLYS797034CM, IRF9540N, IRHNA597160, IRHNA67160, IRHNA67164, IRHNA67260, IRHNA67264, IRHNA7264SE, IRHNA7360SE, IRHNA7460SE