Справочник MOSFET. IRHNA57260

 

IRHNA57260 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHNA57260
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 910 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: SMD-2
 

 Аналог (замена) для IRHNA57260

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNA57260 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:106K  international rectifier
 irhna57260.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 91838ERADIATION HARDENED IRHNA57260POWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44 #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260 100K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA53260 300K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA54260 600K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA58260 1000K Rads (Si) 0.048 55ASMD-2International Rectifiers R5TM technology

 0.1. Size:122K  international rectifier
 irhna57260se.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 91839FRADIATION HARDENED IRHNA57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260SE 100K Rads (Si) 0.038 55ASMD-2International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized for

 5.1. Size:145K  international rectifier
 irhna57264se.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 93816BRADIATION HARDENED IRHNA57264SEPOWER MOSFET250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44# ccProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57264SE 100K Rads (Si) 0.06 49ASMD-2International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized f

 7.1. Size:105K  international rectifier
 irhna57z60.pdf pdf_icon

IRHNA57260

PD - 91787ERADIATION HARDENED IRHNA57Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44#cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040 75*ASMD-2International Rectifiers R5TM technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRHLNM87Y20 , IRHLQ77214 , IRHLUBC7970Z4 , IRHLUC7670Z4 , IRHLUC770Z4 , IRHLUC7970Z4 , IRHLYS77034CM , IRHLYS797034CM , K4145 , IRHNA597160 , IRHNA67160 , IRHNA67164 , IRHNA67260 , IRHNA67264 , IRHNA7264SE , IRHNA7360SE , IRHNA7460SE .

History: AM90N15-38B | DMP25H18DLFDE | 2N7002HW | 2SK880BL | AFP3407S | IPD30N10S3L-34 | IRF3808

 

 
Back to Top

 


 
.