IRHNA597160 Todos los transistores

 

IRHNA597160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHNA597160
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-2
 

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IRHNA597160 datasheet

 ..1. Size:180K  international rectifier
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IRHNA597160

PD-94493C IRHNA597160 RADIATION HARDENED JANSR2N7550U2 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL REF MIL-PRF-19500/713 SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level Rds(on) ID QPL Part Number IRHNA597160 100K Rads (Si) 0.049 -47A JANSR2N7550U2 IRHNA593160 300K Rads (Si) 0.049 -47A JANSF2N7550U2 SMD-2 International Rectifier s R5TM technolo... See More ⇒

 6.1. Size:119K  international rectifier
irhna597260.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 94168A RADIATION HARDENED IRHNA597260 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA597260 100K Rads (Si) 0.102 -35.5A IRHNA593260 300K Rads (Si) 0.102 -35.5A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space appli- Sin... See More ⇒

 8.1. Size:105K  international rectifier
irhna57z60.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 91787E RADIATION HARDENED IRHNA57Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040 75*A SMD-2 International Rectifier s R5TM technolo... See More ⇒

 8.2. Size:106K  international rectifier
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IRHNA597160

PD - 91838E RADIATION HARDENED IRHNA57260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4 # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260 100K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA53260 300K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA54260 600K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA58260 1000K Rads (Si) 0.048 55A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology ... See More ⇒

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