IRHNA597160 Todos los transistores

 

IRHNA597160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHNA597160
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-2
 

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IRHNA597160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  international rectifier
 irhna597160.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD-94493C IRHNA597160RADIATION HARDENED JANSR2N7550U2POWER MOSFET 100V, P-CHANNELREF: MIL-PRF-19500/713SURFACE MOUNT (SMD-2)TECHNOLOGY55 Product SummaryPart Number Radiation Level Rds(on) ID QPL Part NumberIRHNA597160 100K Rads (Si) 0.049 -47A JANSR2N7550U2IRHNA593160 300K Rads (Si) 0.049 -47A JANSF2N7550U2SMD-2International Rectifiers R5TM technolo

 6.1. Size:119K  international rectifier
 irhna597260.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 94168ARADIATION HARDENED IRHNA597260POWER MOSFET200V, P-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA597260 100K Rads (Si) 0.102 -35.5A IRHNA593260 300K Rads (Si) 0.102 -35.5ASMD-2International Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for space appli- Sin

 8.1. Size:105K  international rectifier
 irhna57z60.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 91787ERADIATION HARDENED IRHNA57Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44#cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040 75*ASMD-2International Rectifiers R5TM technolo

 8.2. Size:106K  international rectifier
 irhna57260.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 91838ERADIATION HARDENED IRHNA57260POWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY44 #cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260 100K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA53260 300K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA54260 600K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA58260 1000K Rads (Si) 0.048 55ASMD-2International Rectifiers R5TM technology

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