IRHNA597160 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRHNA597160. Основные параметры


   Наименование производителя: IRHNA597160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.049 Ohm
   Тип корпуса: SMD-2
 

 Аналог (замена) для IRHNA597160

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNA597160 даташит

 ..1. Size:180K  international rectifier
 irhna597160.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD-94493C IRHNA597160 RADIATION HARDENED JANSR2N7550U2 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL REF MIL-PRF-19500/713 SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level Rds(on) ID QPL Part Number IRHNA597160 100K Rads (Si) 0.049 -47A JANSR2N7550U2 IRHNA593160 300K Rads (Si) 0.049 -47A JANSF2N7550U2 SMD-2 International Rectifier s R5TM technolo

 6.1. Size:119K  international rectifier
 irhna597260.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 94168A RADIATION HARDENED IRHNA597260 POWER MOSFET 200V, P-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA597260 100K Rads (Si) 0.102 -35.5A IRHNA593260 300K Rads (Si) 0.102 -35.5A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space appli- Sin

 8.1. Size:105K  international rectifier
 irhna57z60.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 91787E RADIATION HARDENED IRHNA57Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57Z60 100K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA53Z60 300K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA54Z60 600K Rads (Si) 0.0035 75*A IRHNA58Z60 1000K Rads (Si) 0.0040 75*A SMD-2 International Rectifier s R5TM technolo

 8.2. Size:106K  international rectifier
 irhna57260.pdf pdf_icon

IRHNA597160

PD - 91838E RADIATION HARDENED IRHNA57260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGY 4 4 # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA57260 100K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA53260 300K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA54260 600K Rads (Si) 0.043 55A IRHNA58260 1000K Rads (Si) 0.048 55A SMD-2 International Rectifier s R5TM technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRHLQ77214 , IRHLUBC7970Z4 , IRHLUC7670Z4 , IRHLUC770Z4 , IRHLUC7970Z4 , IRHLYS77034CM , IRHLYS797034CM , IRHNA57260 , IRF9540N , IRHNA67160 , IRHNA67164 , IRHNA67260 , IRHNA67264 , IRHNA7264SE , IRHNA7360SE , IRHNA7460SE , IRHNA7Z60 .

 

 
Back to Top

 


 
.