IRHNA67164 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHNA67164
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 230 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 170 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHNA67164

IRHNA67164 Datasheet (PDF)

..1. Size:192K international rectifier
irhna67164.pdf

PD-96959B2N7581U2RADIATION HARDENED IRHNA67164POWER MOSFET150V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67164 100K Rads (Si) 0.018 56A* IRHNA63164 300K Rads (Si) 0.018 56A*SMD-2International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.Features:These devices have

5.1. Size:188K international rectifier
irhna67160.pdf

PD-94299C2N7579U2RADIATION HARDENED IRHNA67160POWER MOSFET100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67160 100K Rads (Si) 0.010 56A* IRHNA63160 300K Rads (Si) 0.010 56A*SMD-2International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.Features:These devices have

7.1. Size:198K international rectifier
irhna67260.pdf

PD-94342G2N7583U2RADIATION HARDENED IRHNA67260POWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67260 100K Rads (Si) 0.028 56A* IRHNA63260 300K Rads (Si) 0.028 56A*SMD-2International Rectifiers R6TM technology providesFeatures:superior power MOSFETs for space applications.n Low RDS(on)The

7.2. Size:190K international rectifier
irhna67264.pdf

PD-96990A2N7585U2RADIATION HARDENED IRHNA67264POWER MOSFET250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67264 100K Rads (Si) 0.040 50A IRHNA63264 300K Rads (Si) 0.040 50ASMD-2International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.Features:These devices have i

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Liste

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