Справочник MOSFET. IRHNA67164

 

IRHNA67164 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHNA67164
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 230 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 170 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SMD-2
 

 Аналог (замена) для IRHNA67164

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNA67164 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  international rectifier
 irhna67164.pdf pdf_icon

IRHNA67164

PD-96959B2N7581U2RADIATION HARDENED IRHNA67164POWER MOSFET150V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67164 100K Rads (Si) 0.018 56A* IRHNA63164 300K Rads (Si) 0.018 56A*SMD-2International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.Features:These devices have

 5.1. Size:188K  international rectifier
 irhna67160.pdf pdf_icon

IRHNA67164

PD-94299C2N7579U2RADIATION HARDENED IRHNA67160POWER MOSFET100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67160 100K Rads (Si) 0.010 56A* IRHNA63160 300K Rads (Si) 0.010 56A*SMD-2International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.Features:These devices have

 7.1. Size:198K  international rectifier
 irhna67260.pdf pdf_icon

IRHNA67164

PD-94342G2N7583U2RADIATION HARDENED IRHNA67260POWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67260 100K Rads (Si) 0.028 56A* IRHNA63260 300K Rads (Si) 0.028 56A*SMD-2International Rectifiers R6TM technology providesFeatures:superior power MOSFETs for space applications.n Low RDS(on)The

 7.2. Size:190K  international rectifier
 irhna67264.pdf pdf_icon

IRHNA67164

PD-96990A2N7585U2RADIATION HARDENED IRHNA67264POWER MOSFET250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2) TECHNOLOGYProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA67264 100K Rads (Si) 0.040 50A IRHNA63264 300K Rads (Si) 0.040 50ASMD-2International Rectifiers R6TM technology providessuperior power MOSFETs for space applications.Features:These devices have i

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.