IRHNB7264SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRHNB7264SE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SMD-3
- Selección de transistores por parámetros
IRHNB7264SE Datasheet (PDF)
irhnb7264se.pdf

PD - 91738ARADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-3
irhnb7260.pdf

PD - 91798ARADIATION HARDENED IRHNB7260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT(SMD-3)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNB7260 100K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB3260 300K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB4260 600K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB8260 1000K Rads (Si) 0.070 43ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFE
irhnb7160.pdf

PD - 91795ARADIATION HARDENEDIRHNB7160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNB7160 100K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB3160 300K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB4160 600K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB8160 1000K Rads (Si) 0.040 51ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFET
irhnb7z60.pdf

PD - 91754ARADIATION HARDENEDIRHNB7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-3) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNB7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*ASMD-3International Rectifiers RADHard HE
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO
History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06