IRHNB7264SE Todos los transistores

 

IRHNB7264SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHNB7264SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-3
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHNB7264SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  international rectifier
irhnb7264se.pdf pdf_icon

IRHNB7264SE

PD - 91738ARADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-3

 6.1. Size:116K  international rectifier
irhnb7260.pdf pdf_icon

IRHNB7264SE

PD - 91798ARADIATION HARDENED IRHNB7260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT(SMD-3)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNB7260 100K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB3260 300K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB4260 600K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB8260 1000K Rads (Si) 0.070 43ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFE

 8.1. Size:101K  international rectifier
irhnb7160.pdf pdf_icon

IRHNB7264SE

PD - 91795ARADIATION HARDENEDIRHNB7160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNB7160 100K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB3160 300K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB4160 600K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB8160 1000K Rads (Si) 0.040 51ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFET

 8.2. Size:118K  international rectifier
irhnb7z60.pdf pdf_icon

IRHNB7264SE

PD - 91754ARADIATION HARDENEDIRHNB7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-3) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNB7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*ASMD-3International Rectifiers RADHard HE

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK3272-01SJ | SM8205AO

 

 
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