IRHNB7264SE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHNB7264SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SMD-3

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IRHNB7264SE datasheet

 ..1. Size:237K  international rectifier
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IRHNB7264SE

PD - 91738A RADIATION HARDENED IRHNB7264SE RADIATION HARDENED IRHNB7264SE RADIATION HARDENED IRHNB7264SE RADIATION HARDENED IRHNB7264SE RADIATION HARDENED IRHNB7264SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT (SMD-3

 6.1. Size:116K  international rectifier
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IRHNB7264SE

PD - 91798A RADIATION HARDENED IRHNB7260 POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL RAD Hard HEXFET TECHNOLOGY SURFACE MOUNT(SMD-3) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNB7260 100K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB3260 300K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB4260 600K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB8260 1000K Rads (Si) 0.070 43A SMD-3 International Rectifier s RADHard HEXFE

 8.1. Size:101K  international rectifier
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IRHNB7264SE

 8.2. Size:118K  international rectifier
 irhnb7z60.pdf pdf_icon

IRHNB7264SE

PD - 91754A RADIATION HARDENED IRHNB7Z60 POWER MOSFET 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT(SMD-3) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNB7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*A SMD-3 International Rectifier s RADHard HE

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