IRHNB7264SE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRHNB7264SE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: SMD-3
Аналог (замена) для IRHNB7264SE
IRHNB7264SE Datasheet (PDF)
irhnb7264se.pdf
PD - 91738ARADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-3
irhnb7260.pdf
PD - 91798ARADIATION HARDENED IRHNB7260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT(SMD-3)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNB7260 100K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB3260 300K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB4260 600K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB8260 1000K Rads (Si) 0.070 43ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFE
irhnb7160.pdf
PD - 91795ARADIATION HARDENEDIRHNB7160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNB7160 100K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB3160 300K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB4160 600K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB8160 1000K Rads (Si) 0.040 51ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFET
irhnb7z60.pdf
PD - 91754ARADIATION HARDENEDIRHNB7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-3) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNB7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*ASMD-3International Rectifiers RADHard HE
Другие MOSFET... IRHNA67160 , IRHNA67164 , IRHNA67260 , IRHNA67264 , IRHNA7264SE , IRHNA7360SE , IRHNA7460SE , IRHNA7Z60 , K4145 , IRHNJ57234SE , IRHNJ67434 , IRHNJ67C30 , IRHNJ9230 , IRHNM57214SE , IRHSLNA57064 , IRHSLNA57Z60 , IRHSNA57064 .
History: NCEP10N85AG | IPD90N04S4-05 | RF1S60P03SM | IPG20N06S2L-35 | NCEP10N12D | AP1001BSQ
History: NCEP10N85AG | IPD90N04S4-05 | RF1S60P03SM | IPG20N06S2L-35 | NCEP10N12D | AP1001BSQ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM425MC | AGM425MA | AGM425M | AGM420MD | AGM420MC | AGM420MBA | AGM420MAP | AGM420MA | AGM418MBP | AGM418M | AGM414MBP | AGM412S | AGM412MPA | AGM412MAP | AGM412D | AGM608C
Popular searches
bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06








