IRHNB7264SE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHNB7264SE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
Тип корпуса: SMD-3
Аналог (замена) для IRHNB7264SE
IRHNB7264SE Datasheet (PDF)
irhnb7264se.pdf
PD - 91738ARADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SERADIATION HARDENED IRHNB7264SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-3
irhnb7260.pdf
PD - 91798ARADIATION HARDENED IRHNB7260POWER MOSFET 200V, N-CHANNELRAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT(SMD-3)Product SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) I D IRHNB7260 100K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB3260 300K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB4260 600K Rads (Si) 0.070 43A IRHNB8260 1000K Rads (Si) 0.070 43ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFE
irhnb7160.pdf
PD - 91795ARADIATION HARDENEDIRHNB7160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) IDIRHNB7160 100K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB3160 300K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB4160 600K Rads (Si) 0.040 51AIRHNB8160 1000K Rads (Si) 0.040 51ASMD-3International Rectifiers RADHard HEXFET
irhnb7z60.pdf
PD - 91754ARADIATION HARDENEDIRHNB7Z60POWER MOSFET30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-3) RAD-Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNB7Z60 100K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB3Z60 300K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB4Z60 600K Rads (Si) 0.009 75*A IRHNB8Z60 1000K Rads (Si) 0.009 75*ASMD-3International Rectifiers RADHard HE
irhnb7460se.pdf
PD - 91741ARADIATION HARDENED IRHNB7460SERADIATION HARDENED IRHNB7460SERADIATION HARDENED IRHNB7460SERADIATION HARDENED IRHNB7460SERADIATION HARDENED IRHNB7460SEPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELPOWER MOSFET 500V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-3
irhnb7360se.pdf
PD - 91740BRADIATION HARDENED IRHNB7360SERADIATION HARDENED IRHNB7360SERADIATION HARDENED IRHNB7360SERADIATION HARDENED IRHNB7360SERADIATION HARDENED IRHNB7360SEPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELPOWER MOSFET 400V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-3) RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (SMD-3
irhnb7064.pdf
PD - 91737ARADIATION HARDENEDIRHNB7064POWER MOSFET60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT(SMD-3)RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNA7064 100K Rads (Si) 0.015 75*A IRHNA3064 300K Rads (Si) 0.015 75*A IRHNA4064 600K Rads (Si) 0.015 75*A IRHNA8064 1000K Rads (Si) 0.015 75*ASMD-3International Rectifiers RADHard H
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918