IRHNM57214SE Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHNM57214SE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm

Encapsulados: SMD-0.2

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IRHNM57214SE datasheet

 ..1. Size:182K  international rectifier
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IRHNM57214SE

PD-97818 RADIATION HARDENED IRHNM57214SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-0.2) 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNM57214SE 100K Rads (Si) 1.7 2.4A SMD-0.2 (METAL LID) International Rectifier s R5TM technology provides high Features performance power MOSFETs for space applications. These n Single Event Effect (SEE

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