IRHNM57214SE Todos los transistores

 

IRHNM57214SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRHNM57214SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-0.2
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRHNM57214SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irhnm57214se.pdf pdf_icon

IRHNM57214SE

PD-97818RADIATION HARDENED IRHNM57214SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.2)55 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNM57214SE 100K Rads (Si) 1.7 2.4A SMD-0.2 (METAL LID)International Rectifiers R5TM technology provides highFeatures:performance power MOSFETs for space applications. Thesen Single Event Effect (SEE

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IRF9393PBF | WFY3N02 | APT904R2AN | SVF1N60AM | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | 2SK3203L

 

 
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