IRHNM57214SE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHNM57214SE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: SMD-0.2

Аналог (замена) для IRHNM57214SE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNM57214SE даташит

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irhnm57214se.pdf pdf_icon

IRHNM57214SE

PD-97818 RADIATION HARDENED IRHNM57214SE POWER MOSFET 250V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-0.2) 5 5 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNM57214SE 100K Rads (Si) 1.7 2.4A SMD-0.2 (METAL LID) International Rectifier s R5TM technology provides high Features performance power MOSFETs for space applications. These n Single Event Effect (SEE

Другие IGBT... IRHNA7360SE, IRHNA7460SE, IRHNA7Z60, IRHNB7264SE, IRHNJ57234SE, IRHNJ67434, IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRF1010E, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201