Справочник MOSFET. IRHNM57214SE

 

IRHNM57214SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHNM57214SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: SMD-0.2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNM57214SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irhnm57214se.pdf pdf_icon

IRHNM57214SE

PD-97818RADIATION HARDENED IRHNM57214SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.2)55 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNM57214SE 100K Rads (Si) 1.7 2.4A SMD-0.2 (METAL LID)International Rectifiers R5TM technology provides highFeatures:performance power MOSFETs for space applications. Thesen Single Event Effect (SEE

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SUN0760I2 | AP4604IN | IRL8113LPBF | STD14NM50N | 2SK1471 | IRLSZ34A | 2SK1637

 

 
Back to Top

 


 
.