Справочник MOSFET. IRHNM57214SE

 

IRHNM57214SE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRHNM57214SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: SMD-0.2

 Аналог (замена) для IRHNM57214SE

 

 

IRHNM57214SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irhnm57214se.pdf

IRHNM57214SE IRHNM57214SE

PD-97818RADIATION HARDENED IRHNM57214SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.2)55 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNM57214SE 100K Rads (Si) 1.7 2.4A SMD-0.2 (METAL LID)International Rectifiers R5TM technology provides highFeatures:performance power MOSFETs for space applications. Thesen Single Event Effect (SEE

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top