Справочник MOSFET. IRHNM57214SE

 

IRHNM57214SE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRHNM57214SE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: SMD-0.2
 

 Аналог (замена) для IRHNM57214SE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHNM57214SE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  international rectifier
 irhnm57214se.pdf pdf_icon

IRHNM57214SE

PD-97818RADIATION HARDENED IRHNM57214SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-0.2)55 TECHNOLOGY Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHNM57214SE 100K Rads (Si) 1.7 2.4A SMD-0.2 (METAL LID)International Rectifiers R5TM technology provides highFeatures:performance power MOSFETs for space applications. Thesen Single Event Effect (SEE

Другие MOSFET... IRHNA7360SE , IRHNA7460SE , IRHNA7Z60 , IRHNB7264SE , IRHNJ57234SE , IRHNJ67434 , IRHNJ67C30 , IRHNJ9230 , IRF530 , IRHSLNA57064 , IRHSLNA57Z60 , IRHSNA57064 , IRHSNA57Z60 , IRF034 , IRF044SMD , IRF054SMD , IRF100B201 .

History: IRFZ44NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.