IRHSLNA57Z60 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHSLNA57Z60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SMD-2

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IRHSLNA57Z60 datasheet

 ..1. Size:123K  international rectifier
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IRHSLNA57Z60

PD-94400B RAD-HARD IRHSLNA57Z60 SYNCHRONOUS RECTIFIER 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSLNA57Z60 100K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA53Z60 300K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA54Z60 600K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.5m 200nC SMD-2 Description The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFET

 5.1. Size:112K  international rectifier
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IRHSLNA57Z60

PD-94401A RAD-HARD IRHSLNA57064 SYNCHRONOUS RECTIFIER 60V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSLNA57064 100K Rads (Si) 6.1m 160nC IRHSLNA53064 300K Rads (Si) 6.1m 160nC IRHSLNA54064 600K Rads (Si) 6.1m 160nC IRHSLNA58064 1000K Rads (Si) 7.1m 160nC SMD-2 Description The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs

Otros transistores... IRHNA7Z60, IRHNB7264SE, IRHNJ57234SE, IRHNJ67434, IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, AON6380, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201