IRHSLNA57Z60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHSLNA57Z60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: SMD-2

Аналог (замена) для IRHSLNA57Z60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHSLNA57Z60 даташит

 ..1. Size:123K  international rectifier
 irhslna57z60.pdf pdf_icon

IRHSLNA57Z60

PD-94400B RAD-HARD IRHSLNA57Z60 SYNCHRONOUS RECTIFIER 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSLNA57Z60 100K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA53Z60 300K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA54Z60 600K Rads (Si) 4.0m 200nC IRHSLNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.5m 200nC SMD-2 Description The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFET

 5.1. Size:112K  international rectifier
 irhslna57064.pdf pdf_icon

IRHSLNA57Z60

PD-94401A RAD-HARD IRHSLNA57064 SYNCHRONOUS RECTIFIER 60V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSLNA57064 100K Rads (Si) 6.1m 160nC IRHSLNA53064 300K Rads (Si) 6.1m 160nC IRHSLNA54064 600K Rads (Si) 6.1m 160nC IRHSLNA58064 1000K Rads (Si) 7.1m 160nC SMD-2 Description The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs

Другие IGBT... IRHNA7Z60, IRHNB7264SE, IRHNJ57234SE, IRHNJ67434, IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, AON6380, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201