IRHSNA57Z60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHSNA57Z60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-2

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHSNA57Z60

IRHSNA57Z60 Datasheet (PDF)

..1. Size:111K international rectifier
irhsna57z60.pdf

PD-94237FRAD-HARD IRHSNA57Z60SYNCHRONOUS RECTIFIER30V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57Z60 100K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA53Z60 300K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA54Z60 600K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.0m 200nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETsF

6.1. Size:271K international rectifier
irhsna57064.pdf

PD-94323DRAD-HARD IRHSNA57064SYNCHRONOUS RECTIFIER60V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-2)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57064 100K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA53064 300K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA54064 600K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA58064 1000K Rads (Si) 6.5m 160nCSMD-2Description:The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETsF

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Liste

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