IRHSNA57Z60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRHSNA57Z60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: SMD-2

Аналог (замена) для IRHSNA57Z60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHSNA57Z60 даташит

 ..1. Size:111K  international rectifier
 irhsna57z60.pdf pdf_icon

IRHSNA57Z60

PD-94237F RAD-HARD IRHSNA57Z60 SYNCHRONOUS RECTIFIER 30V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57Z60 100K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA53Z60 300K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA54Z60 600K Rads (Si) 3.5m 200nC IRHSNA58Z60 1000K Rads (Si) 4.0m 200nC SMD-2 Description The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs F

 6.1. Size:271K  international rectifier
 irhsna57064.pdf pdf_icon

IRHSNA57Z60

PD-94323D RAD-HARD IRHSNA57064 SYNCHRONOUS RECTIFIER 60V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-2) Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) QG IRHSNA57064 100K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA53064 300K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA54064 600K Rads (Si) 6.5m 160nC IRHSNA58064 1000K Rads (Si) 6.5m 160nC SMD-2 Description The SynchFet family of Co-Pack RAD-Hard MOSFETs F

Другие IGBT... IRHNJ57234SE, IRHNJ67434, IRHNJ67C30, IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, CS150N03A8, IRF034, IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF