IRF054SMD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF054SMD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 180 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: SMD1

 Búsqueda de reemplazo de IRF054SMD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRF054SMD datasheet

 ..1. Size:22K  semelab
 irf054smd.pdf pdf_icon

IRF054SMD

IRF054SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 8.1. Size:146K  international rectifier
 irf054.pdf pdf_icon

IRF054SMD

PD - 90640 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF054 60V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF054 60V 0.022 45A* The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design ac

Otros transistores... IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, IRF044SMD, STP80NF70, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1010ESPBF, IRF1010EZLPBF