Справочник MOSFET. IRF054SMD

 

IRF054SMD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF054SMD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRF054SMD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF054SMD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  semelab
 irf054smd.pdf pdf_icon

IRF054SMD

IRF054SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 8.1. Size:146K  international rectifier
 irf054.pdf pdf_icon

IRF054SMD

PD - 90640REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF05460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product SummaryPart Number BVDSS RDS(on) IDIRF054 60V 0.022 45A*The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design ac

Другие MOSFET... IRHNJ9230 , IRHNM57214SE , IRHSLNA57064 , IRHSLNA57Z60 , IRHSNA57064 , IRHSNA57Z60 , IRF034 , IRF044SMD , 20N50 , IRF100B201 , IRF100B202 , IRF100S201 , IRF1010A , IRF1010ELPBF , IRF1010EPBF , IRF1010ESPBF , IRF1010EZLPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.