IRF054SMD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF054SMD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRF054SMD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF054SMD даташит

 ..1. Size:22K  semelab
 irf054smd.pdf pdf_icon

IRF054SMD

IRF054SMD SEME LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027 FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACE MOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OF PCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 8.1. Size:146K  international rectifier
 irf054.pdf pdf_icon

IRF054SMD

PD - 90640 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF054 60V, N-CHANNEL HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) Product Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRF054 60V 0.022 45A* The HEXFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry and unique processing of this latest State of the Art design ac

Другие IGBT... IRHNJ9230, IRHNM57214SE, IRHSLNA57064, IRHSLNA57Z60, IRHSNA57064, IRHSNA57Z60, IRF034, IRF044SMD, STP80NF70, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1010ESPBF, IRF1010EZLPBF