IRF054SMD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF054SMD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180 nC
trⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
Тип корпуса: SMD1
IRF054SMD Datasheet (PDF)
irf054smd.pdf
IRF054SMDSEMELABMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET VDSS 60V ID(cont) 45A RDS(on) 0.027FEATURES HERMETICALLY SEALED SURFACEMOUNT PACKAGE SMALL FOOTPRINT EFFICIENT USE OFPCB SPACE. SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS
irf054.pdf
PD - 90640REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF05460V, N-CHANNELHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-204AA/AE)Product SummaryPart Number BVDSS RDS(on) IDIRF054 60V 0.022 45A*The HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art design ac
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918