IXFR50N50 Todos los transistores

 

IXFR50N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFR50N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXFR50N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  ixys
 ixfr50n50 ixfr55n50.pdf pdf_icon

IXFR50N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 50N50 500 V 43 A 100 mISOPLUS247TMIXFR 55N50 500 V 48 A 90 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS

 9.1. Size:89K  ixys
 ixfr58n20q.pdf pdf_icon

IXFR50N50

IXFR 58N20Q V = 200 VHiPerFETTM Power MOSFETsDSSID25 = 50 AISOPLUS247TM Q-ClassRDS(on) = 40 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C

Otros transistores... IXFR180N10 , IXFR24N100 , IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , 2SK3878 , IXFR55N50 , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q , IXFT13N80Q , IXFT14N100 .

History: 2SJ152 | SHD226309 | SDF07N80 | VS3620DP-G | NTMFS4925NT1G

 

 
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