IXFR50N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFR50N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 330 nC
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO247
IXFR50N50 Datasheet (PDF)
ixfr50n50 ixfr55n50.pdf
VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 50N50 500 V 43 A 100 mISOPLUS247TMIXFR 55N50 500 V 48 A 90 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS
ixfr58n20q.pdf
IXFR 58N20Q V = 200 VHiPerFETTM Power MOSFETsDSSID25 = 50 AISOPLUS247TM Q-ClassRDS(on) = 40 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD