Справочник MOSFET. IXFR50N50

 

IXFR50N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR50N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 330 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFR50N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR50N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  ixys
 ixfr50n50 ixfr55n50.pdf pdf_icon

IXFR50N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 50N50 500 V 43 A 100 mISOPLUS247TMIXFR 55N50 500 V 48 A 90 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS

 9.1. Size:89K  ixys
 ixfr58n20q.pdf pdf_icon

IXFR50N50

IXFR 58N20Q V = 200 VHiPerFETTM Power MOSFETsDSSID25 = 50 AISOPLUS247TM Q-ClassRDS(on) = 40 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.