IRF1010ESPBF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF1010ESPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IRF1010ESPBF datasheet

 ..1. Size:222K  international rectifier
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IRF1010ESPBF

PD - 95444 IRF1010ESPbF IRF1010ELPbF l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRF1010ES) HEXFET Power MOSFET l Low-profile through-hole (IRF1010EL) D l 175 C Operating Temperature VDSS = 60V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m l Lead-Free G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84A S Rectifier utilize advanced pro

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IRF1010ESPBF

PD - 95444 IRF1010ESPbF IRF1010ELPbF l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRF1010ES) HEXFET Power MOSFET l Low-profile through-hole (IRF1010EL) D l 175 C Operating Temperature VDSS = 60V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m l Lead-Free G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84A S Rectifier utilize advanced pro

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IRF1010ESPBF

PD - 91720 IRF1010ES IRF1010EL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) D 175 C Operating Temperature VDSS = 60V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84A Rectifier utilize advanced processing techniques to S achi

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IRF1010ESPBF

PD - 9.1720 IRF1010ES/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.012 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 83A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely

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