IRF1010ESPBF Todos los transistores

 

IRF1010ESPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF1010ESPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IRF1010ESPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
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IRF1010ESPBF

PD - 95444IRF1010ESPbFIRF1010ELPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRF1010ES)HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRF1010EL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84ASRectifier utilize advanced pro

 ..2. Size:222K  international rectifier
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IRF1010ESPBF

PD - 95444IRF1010ESPbFIRF1010ELPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRF1010ES)HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRF1010EL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84ASRectifier utilize advanced pro

 5.1. Size:123K  international rectifier
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IRF1010ESPBF

PD - 91720IRF1010ESIRF1010EL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL)D 175C Operating Temperature VDSS = 60V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12mGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalID = 84A Rectifier utilize advanced processing techniques toSachi

 5.2. Size:196K  international rectifier
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IRF1010ESPBF

PD - 9.1720IRF1010ES/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.012G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 83A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely

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History: BLS60R036-F | VBL1101N | AP60SL600AH | 2SK1017-01 | APL501J | BSS316N | AP02N70EI-HF

 

 
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