IRF1010ESPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF1010ESPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 84 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Время нарастания (tr): 78 ns
Выходная емкость (Cd): 690 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF1010ESPBF
IRF1010ESPBF Datasheet (PDF)
irf1010elpbf irf1010espbf.pdf
PD - 95444IRF1010ESPbFIRF1010ELPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRF1010ES)HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRF1010EL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84ASRectifier utilize advanced pro
irf1010espbf irf1010elpbf.pdf
PD - 95444IRF1010ESPbFIRF1010ELPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRF1010ES)HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRF1010EL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84ASRectifier utilize advanced pro
irf1010es.pdf
PD - 91720IRF1010ESIRF1010EL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL)D 175C Operating Temperature VDSS = 60V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12mGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalID = 84A Rectifier utilize advanced processing techniques toSachi
irf1010esl.pdf
PD - 9.1720IRF1010ES/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.012G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 83A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely
irf1010es.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF1010ESFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMU
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
