IRF1010ESPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF1010ESPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF1010ESPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010ESPBF даташит

 ..1. Size:222K  international rectifier
 irf1010espbf irf1010elpbf.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 95444 IRF1010ESPbF IRF1010ELPbF l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRF1010ES) HEXFET Power MOSFET l Low-profile through-hole (IRF1010EL) D l 175 C Operating Temperature VDSS = 60V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m l Lead-Free G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84A S Rectifier utilize advanced pro

 ..2. Size:222K  international rectifier
 irf1010elpbf irf1010espbf.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 95444 IRF1010ESPbF IRF1010ELPbF l Advanced Process Technology l Surface Mount (IRF1010ES) HEXFET Power MOSFET l Low-profile through-hole (IRF1010EL) D l 175 C Operating Temperature VDSS = 60V l Fast Switching l Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m l Lead-Free G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84A S Rectifier utilize advanced pro

 5.1. Size:123K  international rectifier
 irf1010es.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 91720 IRF1010ES IRF1010EL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) D 175 C Operating Temperature VDSS = 60V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 12m G Description Advanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84A Rectifier utilize advanced processing techniques to S achi

 5.2. Size:196K  international rectifier
 irf1010esl.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 9.1720 IRF1010ES/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.012 G Fast Switching Fully Avalanche Rated ID = 83A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF044SMD, IRF054SMD, IRF100B201, IRF100B202, IRF100S201, IRF1010A, IRF1010ELPBF, IRF1010EPBF, IRF1407, IRF1010EZLPBF, IRF1010EZPBF, IRF1010EZSPBF, IRF1010H, IRF1010NLPBF, IRF1010NPBF, IRF1010NSPBF, IRF1010ZLPBF