Справочник MOSFET. IRF1010ESPBF

 

IRF1010ESPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF1010ESPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRF1010ESPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1010ESPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
 irf1010espbf irf1010elpbf.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 95444IRF1010ESPbFIRF1010ELPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRF1010ES)HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRF1010EL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84ASRectifier utilize advanced pro

 ..2. Size:222K  international rectifier
 irf1010elpbf irf1010espbf.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 95444IRF1010ESPbFIRF1010ELPbFl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRF1010ES)HEXFET Power MOSFETl Low-profile through-hole (IRF1010EL)Dl 175C Operating TemperatureVDSS = 60Vl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12ml Lead-FreeGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International ID = 84ASRectifier utilize advanced pro

 5.1. Size:123K  international rectifier
 irf1010es.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 91720IRF1010ESIRF1010EL Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL)D 175C Operating Temperature VDSS = 60V Fast Switching Fully Avalanche RatedRDS(on) = 12mGDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalID = 84A Rectifier utilize advanced processing techniques toSachi

 5.2. Size:196K  international rectifier
 irf1010esl.pdf pdf_icon

IRF1010ESPBF

PD - 9.1720IRF1010ES/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRF1010ES) Low-profile through-hole (IRF1010EL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.012G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 83A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.