IXFR55N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFR55N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 400 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 48 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.5 V
Carga de compuerta (Qg): 330 nC
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.08 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFR55N50
IXFR55N50 Datasheet (PDF)
1.1. ixfr50n50 ixfr55n50.pdf 
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VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs Ω IXFR 50N50 500 V 43 A 100 mΩ Ω Ω Ω ISOPLUS247TM Ω IXFR 55N50 500 V 48 A 90 mΩ Ω Ω Ω (Electrically Isolated Back Surface) ≤ trr ≤ ≤ 250 ns ≤ ≤ Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VDSS TJ = 25°C to 150°C 500 V VDGR TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ 500 V G VGS
5.1. ixfr58n20q.pdf Size:89K _ixys
IXFR 58N20Q V = 200 V HiPerFETTM Power MOSFETs DSS ID25 = 50 A ISOPLUS247TM Q-Class Ω RDS(on) = 40 mΩ Ω Ω Ω (Electrically Isolated Back Surface) ≤ trr ≤ ≤ 200 ns ≤ ≤ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25°C
Otros transistores... IXFR24N100 , IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , IRF150 , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q , IXFT13N80Q , IXFT14N100 , IXFT15N100 .
