IXFR55N50 Todos los transistores

 

IXFR55N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFR55N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: TO247

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IXFR55N50 datasheet

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IXFR55N50

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM Power MOSFETs IXFR 50N50 500 V 43 A 100 m ISOPLUS247TM IXFR 55N50 500 V 48 A 90 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns Single Die MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V G VGS

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IXFR55N50

IXFR 58N20Q V = 200 V HiPerFETTM Power MOSFETs DSS ID25 = 50 A ISOPLUS247TM Q-Class RDS(on) = 40 m (Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TM E153432 VDSS TJ = 25 C

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