Справочник MOSFET. IXFR55N50

 

IXFR55N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFR55N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 330 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IXFR55N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFR55N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  ixys
 ixfr50n50 ixfr55n50.pdf pdf_icon

IXFR55N50

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTM Power MOSFETsIXFR 50N50 500 V 43 A 100 mISOPLUS247TMIXFR 55N50 500 V 48 A 90 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 250 ns Single Die MOSFETSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TMVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGVGS

 9.1. Size:89K  ixys
 ixfr58n20q.pdf pdf_icon

IXFR55N50

IXFR 58N20Q V = 200 VHiPerFETTM Power MOSFETsDSSID25 = 50 AISOPLUS247TM Q-ClassRDS(on) = 40 m(Electrically Isolated Back Surface) trr 200 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dV/dtLow Gate Charge and CapacitancesPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247TME153432VDSS TJ = 25C

Другие MOSFET... IXFR24N100 , IXFR24N50 , IXFR24N50Q , IXFR26N50 , IXFR26N50Q , IXFR30N50Q , IXFR32N50Q , IXFR50N50 , 7N65 , IXFR58N20Q , IXFR80N20Q , IXFT10N100 , IXFT12N100 , IXFT12N100Q , IXFT13N80Q , IXFT14N100 , IXFT15N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.