IRF121 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF121

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO3

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IRF121 datasheet

 ..1. Size:170K  fairchild semi
 irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdf pdf_icon

IRF121

 9.1. Size:50K  international rectifier
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IRF121

PD - 93803 PROVISIONAL IRF1205 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V 175 C Operating Temprature Fast Switching RDS(on) = 0.027 Fully Avalanche Rated G ID = 41A S Description Fifth Generation MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area

 9.2. Size:1313K  cn sps
 smirf12n65.pdf pdf_icon

IRF121

SMIRF12N65 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ID 12A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.75 (VGS=10V, ID=6A) on-state resistance, provide superior

Otros transistores... IRF1010ZLPBF, IRF1010ZPBF, IRF1010ZSPBF, IRF1018EPBF, IRF1018ESLPBF, IRF1018ESPBF, IRF1104PBF, IRF120, 75N75, IRF122, IRF123, IRF1302S, IRF130SMD, IRF130SMD05, IRF130SMD05DSG, IRF131, IRF1310NPBF