IRF121 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF121

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IRF121

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF121 даташит

 ..1. Size:170K  fairchild semi
 irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdf pdf_icon

IRF121

 9.1. Size:50K  international rectifier
 irf1205.pdf pdf_icon

IRF121

PD - 93803 PROVISIONAL IRF1205 HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 55V 175 C Operating Temprature Fast Switching RDS(on) = 0.027 Fully Avalanche Rated G ID = 41A S Description Fifth Generation MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area

 9.2. Size:1313K  cn sps
 smirf12n65.pdf pdf_icon

IRF121

SMIRF12N65 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ID 12A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.75 (VGS=10V, ID=6A) on-state resistance, provide superior

Другие IGBT... IRF1010ZLPBF, IRF1010ZPBF, IRF1010ZSPBF, IRF1018EPBF, IRF1018ESLPBF, IRF1018ESPBF, IRF1104PBF, IRF120, 75N75, IRF122, IRF123, IRF1302S, IRF130SMD, IRF130SMD05, IRF130SMD05DSG, IRF131, IRF1310NPBF