IRF123 Todos los transistores

 

IRF123 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF123
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IRF123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  fairchild semi
 irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdf pdf_icon

IRF123

 9.1. Size:50K  international rectifier
 irf1205.pdf pdf_icon

IRF123

PD - 93803PROVISIONALIRF1205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V 175 C Operating Temprature Fast SwitchingRDS(on) = 0.027 Fully Avalanche RatedGID = 41A SDescriptionFifth Generation MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area

 9.2. Size:1313K  cn sps
 smirf12n65.pdf pdf_icon

IRF123

SMIRF12N6530V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription ID 12A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.75(VGS=10V, ID=6A) on-state resistance, provide superior

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History: APT5010JFLL | GSM3484S | DMN2020LSN | R5205CND | UTT200N03 | 65N06A | SRC60R045FB

 

 
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