Справочник MOSFET. IRF123

 

IRF123 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF123
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF123 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  fairchild semi
 irf120 irf121 irf122 irf123 mtp10n08.pdf pdf_icon

IRF123

 9.1. Size:50K  international rectifier
 irf1205.pdf pdf_icon

IRF123

PD - 93803PROVISIONALIRF1205HEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Dynamic dv/dt RatingVDSS = 55V 175 C Operating Temprature Fast SwitchingRDS(on) = 0.027 Fully Avalanche RatedGID = 41A SDescriptionFifth Generation MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area

 9.2. Size:1313K  cn sps
 smirf12n65.pdf pdf_icon

IRF123

SMIRF12N6530V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription ID 12A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.75(VGS=10V, ID=6A) on-state resistance, provide superior

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: BLS60R150F-A | KF5N50FZ | DMP2160UFDBQ | 4N70G-TF3-T | AOD496A | IXTT30N50P | AONR36321

 

 
Back to Top

 


 
.