IRF130SMD05DSG Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF130SMD05DSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm

Encapsulados: SMD05

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IRF130SMD05DSG datasheet

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IRF130SMD05DSG

IRF130SMD05DSGN MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET 7.54 (0.296) FOR HI REL 0.76 (0.030) min. 3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max. APPLICATIONS 0.127 (0.005) 1 3 VDSS 100V ID(cont) 11A 2 RDS(on) 0.19 FEATURES 0.127 (0.005) 16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) HERMETICALLY SEALED 0.50 (0.020) max. 7.26 (0.286)

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IRF130SMD05DSG

IRF130SMD05N IRFN130SMD05 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) N CHANNEL POWER MOSFET FOR HI REL APPLICATIONS ! VDSS 100V ID(cont) 11A RDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED

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IRF130SMD05DSG

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IRF130SMD05DSG

PD - 94591 AUTOMOTIVE MOSFET IRF1302 Benefits HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 20V Dynamic dv/dt Rating 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 4.0m G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID = 180A S Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar

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