IRF130SMD05DSG Todos los transistores

 

IRF130SMD05DSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF130SMD05DSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD05
 

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IRF130SMD05DSG Datasheet (PDF)

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IRF130SMD05DSG

IRF130SMD05DSGNMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET7.54 (0.296)FOR HIREL0.76 (0.030)min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) 2.41 (0.095) Max.APPLICATIONS 0.127 (0.005)1 3VDSS 100VID(cont) 11A2RDS(on) 0.19FEATURES 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020) HERMETICALLY SEALED 0.50 (0.020)max.7.26 (0.286)

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IRF130SMD05DSG

IRF130SMD05NIRFN130SMD05MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS !VDSS 100VID(cont) 11ARDS(on) 0.19 FEATURES HERMETICALLY SEALED

 5.1. Size:22K  semelab
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IRF130SMD05DSG

IRF130SMDMECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET FOR HIREL APPLICATIONS !VDSS 100VID(cont) 11ARDS(on) 0.19FEATURES HERMETICALLY SEALED SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

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IRF130SMD05DSG

PD - 94591AUTOMOTIVE MOSFETIRF1302BenefitsHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 20V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 4.0mG Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 180A SDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar

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History: MMD70R900PRH | MTN6515H8

 

 
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