IRF1404ZSPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF1404ZSPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1030 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF1404ZSPBF

IRF1404ZSPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:298K international rectifier
irf1404zlpbf irf1404zpbf irf1404zspbf.pdf

PD - 96040CIRF1404ZPbFIRF1404ZSPbFIRF1404ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature V(BR)DSS 40VDl Fast SwitchingRDS(on) typ. 2.7ml Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 3.7ml Lead-FreeGID (Silicon Limited) 180A DescriptionID (Package Limited) 120A SThis HEXFET P

..2. Size:302K infineon
irf1404zpbf irf1404zspbf irf1404zlpbf.pdf

5.1. Size:362K international rectifier
auirf1404zstrl.pdf

PD - 97460AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1404ZAUIRF1404ZSAUIRF1404ZLFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceDV(BR)DSS 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.3.7m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited) Lead-Free, RoHS Compliant 180A Automotive Qualified *SID (Package Limited)160A

5.2. Size:383K infineon
auirf1404z auirf1404zs auirf1404zl.pdf

AUIRF1404Z AUIRF1404ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1404ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 3.7m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Auto

5.3. Size:258K inchange semiconductor
irf1404zs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1404ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

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Liste

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