IRF1404ZSPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF1404ZSPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 100 nC
Время нарастания (tr): 110 ns
Выходная емкость (Cd): 1030 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0037 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IRF1404ZSPBF
IRF1404ZSPBF Datasheet (PDF)
irf1404zlpbf irf1404zpbf irf1404zspbf.pdf
PD - 96040CIRF1404ZPbFIRF1404ZSPbFIRF1404ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature V(BR)DSS 40VDl Fast SwitchingRDS(on) typ. 2.7ml Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 3.7ml Lead-FreeGID (Silicon Limited) 180A DescriptionID (Package Limited) 120A SThis HEXFET P
irf1404zpbf irf1404zspbf irf1404zlpbf.pdf
PD - 96040CIRF1404ZPbFIRF1404ZSPbFIRF1404ZLPbFFeaturesl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating Temperature V(BR)DSS 40VDl Fast SwitchingRDS(on) typ. 2.7ml Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max. 3.7ml Lead-FreeGID (Silicon Limited) 180A DescriptionID (Package Limited) 120A SThis HEXFET P
auirf1404zstrl.pdf
PD - 97460AUTOMOTIVE GRADEAUIRF1404ZAUIRF1404ZSAUIRF1404ZLFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Low On-ResistanceDV(BR)DSS 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) max.3.7m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxGID (Silicon Limited) Lead-Free, RoHS Compliant 180A Automotive Qualified *SID (Package Limited)160A
auirf1404z auirf1404zs auirf1404zl.pdf
AUIRF1404Z AUIRF1404ZS AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1404ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 3.7m 175C Operating Temperature ID (Silicon Limited) 180A Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 160A Lead-Free, RoHS Compliant Auto
irf1404zs.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF1404ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
