STI19NM65N Todos los transistores

 

STI19NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STI19NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
 

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STI19NM65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  st
 stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STI19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

 ..2. Size:538K  st
 stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STI19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

Otros transistores... STI14NM65N , STI150N10F7 , STI15NM60N , STI15NM60ND , STI16NM50N , STI17NF25 , STI18N65M2 , STI18N65M5 , IRFB4110 , STI20N65M5 , STI21NM60ND , STI23NM60N , STI24N60M2 , STI260N6F6 , STI33N60M2 , STI33N65M2 , STI360N4F6 .

History: RU6199S | KNB2804A | IRF7316Q | NDT4N20L | IRF7309TRPBF-1 | JMTE070N07A | NCEP095N10

 

 
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