STI19NM65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STI19NM65N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK

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STI19NM65N Datasheet (PDF)

..1. Size:543K st
stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

..2. Size:538K st
stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf

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Liste

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