Справочник MOSFET. STI19NM65N

 

STI19NM65N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STI19NM65N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для STI19NM65N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI19NM65N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  st
 stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STI19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

 ..2. Size:538K  st
 stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STI19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65NSTB19NM65N - STP19NM65NN-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247second generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) max ID(@Tjmax)323121STB19NM65N 710 V

Другие MOSFET... STI14NM65N , STI150N10F7 , STI15NM60N , STI15NM60ND , STI16NM50N , STI17NF25 , STI18N65M2 , STI18N65M5 , IRFB4110 , STI20N65M5 , STI21NM60ND , STI23NM60N , STI24N60M2 , STI260N6F6 , STI33N60M2 , STI33N65M2 , STI360N4F6 .

History: NCE2004NE | SIZ346DT | KIA2910N-263 | PSMN4R4-80BS | SIS334DN | TMD2N60H | WML071N15HG2

 

 
Back to Top

 


 
.