STI19NM65N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STI19NM65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

Аналог (замена) для STI19NM65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STI19NM65N даташит

 ..1. Size:543K  st
 stb19nm65n sti19nm65n stf19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STI19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

 ..2. Size:538K  st
 stb19nm65n stf19nm65n sti19nm65n stp19nm65n stw19nm65n.pdf pdf_icon

STI19NM65N

STF19NM65N-STI19NM65N-STW19NM65N STB19NM65N - STP19NM65N N-channel 650 V - 0.25 - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB19NM65N 710 V

Другие IGBT... STI14NM65N, STI150N10F7, STI15NM60N, STI15NM60ND, STI16NM50N, STI17NF25, STI18N65M2, STI18N65M5, AON6414A, STI20N65M5, STI21NM60ND, STI23NM60N, STI24N60M2, STI260N6F6, STI33N60M2, STI33N65M2, STI360N4F6